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JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨

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中国 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. 認証
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JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨
JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing
JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨 JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨

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商品の詳細:
起源の場所: 蘇州中国
ブランド名: GaNova
証明: UKAS/ISO9001:2015
モデル番号: JDCD04-001-007
お支払配送条件:
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
受渡し時間: 3-4 週日

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨

説明
厚さ: 0.6~0.8mm 製品名: 単結晶の基質
オリエンテーション: (101) 磨かれた表面: 磨かれる単一の側面
FWHM: <350arcsec> RA: ≤0.5nm
ハイライト:

単結結晶基板の自由立体ガオ3

,

製品グレード 単結晶基板 Ga2O3

,

10x10mm2 Ga2O3 シングルクリスタル基板

10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨 厚さ 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.5nm 抵抗 1.53E+18Ω/cm-3 光電子デバイス、半導体材料の絶縁層、およびUVフィルター

 

シリコンベースのデバイスは比較的効率的なデバイスを製造することができましたが、窒化ガリウムの改善された特性により、熱によるエネルギー損失がはるかに少ないという利点が GaN 半導体にもたらされます。バンドギャップが広いため、GaN デバイスはシリコンよりもはるかに高い温度に耐えることができ、お気に入りのデバイス全体でより高いレベルのエネルギー効率を実現できます。

 

窒化ガリウム基板 -- 研究レベル
寸法 10×15mm 10×10mm
厚さ 0.6~0.8mm
オリエンテーション (010)
ドーピング スン
研磨面 片面研磨
比抵抗/Nd-Na 2.00E+17 1.53E+18
FWHM <350秒角
ラー ≤0.5nm
パッケージ 窒素雰囲気下のクラス100のクリーンルーム環境でパッケージング

 

 

私たちに関しては

私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。

 

 

よくある質問

Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q:納期はどのくらいですか?
通常、在庫がある場合は3~5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか?
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。

 

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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