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半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加

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半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加

半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加
半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加

大画像 :  半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加

商品の詳細:
起源の場所: 蘇州中国
ブランド名: GaNova
証明: UKAS/ISO9001:2015
モデル番号: JDCD04-001-005
お支払配送条件:
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
受渡し時間: 3-4 週日

半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加

説明
厚さ: 0.6~0.8mm 製品名: 単結晶の基質
オリエンテーション: (010)(201) 添加: UID
FWHM: <350arcsec> RA: ≤0.5nm
ハイライト:

単結晶ガリウム酸化物の基質

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半導体ウエハーISO

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ガリウム酸化物の基質UIDの添加

Ga2O3の単結晶の基質の厚さ0.6~0.8mm FWHM<350arcsec>

10x15mm2は(- 201)支えがないGa2O3の単結晶の基質プロダクト等級の単一の磨く厚さ0.6~0.8mm FWHM<350arcsec、半導体材料のRa≤0.5nmの抵抗4.13E+17Ω/cm-3の光電子工学装置、絶縁層、および紫外線フィルターをUID添加した

ガリウム酸化物(Ga2 O3)の単結晶は広いbandgap半導体材料である。ガリウム酸化物(Ga2 O3)に絶縁層と紫外フィルターとしてGaベースの半導体材料のために光電子工学装置、それで広い適用見通しが使用したある。


Ga2 O3の5結晶段階があるが、ベータGa2 O3は高温に固定してあることができる唯一のものである。β Ga2 O3は超全体のbandgapの高い発電の高い電流密度の縦の構造力装置を製造するために適した例えば=4.8 eVの約禁止された帯域幅の透明な半導体材料の新型である。それに紫外探知器、発光ダイオード(LEDs)およびガス センサーの分野で適用見通しがある。

ガリウム窒化物の基質--研究のレベル
次元 10*10mm 10*15mm
厚さ 0.6~0.8mm
オリエンテーション (010) (201)
添加 UID
磨かれた表面 磨かれる単一の側面
Resistivity/Nd Na / 4.13E+17
FWHM <350arcsec>
RA ≤0.5nm
パッケージ 、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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