 |
6inch SiCのエピタキシアル ウエファー2022-10-09 16:56:20 |
|
|
150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 4H クリスタルフォーム2022-10-24 10:20:57 |
|
|
47.5 mmの± 1.5 mm SiCのエピタキシアル ウエファー150.0 mm +0mm/-0.2mm平行to<11-20>±1°2024-10-29 11:49:58 |
|
|
ポリタイプ なし 可 SiC エピタキシャルウェーハ P-MOS P-SBD D グレード2024-10-29 11:49:58 |
|
|
0.015Ω•cm0.025Ω•cm SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP2024-10-29 11:49:58 |
|
|
要求の厳しいパワーエレクトロニクス向けの2インチSiC基板350μm2024-10-29 11:49:58 |
|
|
SiC Nのタイプ基質2022-10-09 16:57:15 |
|
|
力装置マイクロウェーブ装置のための2インチの半導体ウエハーPのレベル260μm2022-10-24 10:25:55 |
Japanese
