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4H SiCのエピタキシアル ウエファー≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm0.025Ω•cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm2024-10-29 11:49:58 |
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単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP2022-10-24 10:26:24 |
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JDZJ01-001-004 SiC インゴットクリスタル 6" P グレード2025-04-04 22:42:33 |
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6 インチ N タイプウェーハ P MOS グレード 4H SiC 基板 350.0 ± 25.0um2022-10-24 10:21:10 |
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150.0mm +0mm/-0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 47.5mm ± 1.5mm2022-10-24 10:23:40 |
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350um 4H SiC基板2022-10-09 16:57:57 |
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パワーデバイス、マイクロ波デバイス向けPレベル2インチSiC基板2024-10-29 11:49:58 |
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4H SiCのエピタキシアル ウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm2024-10-29 11:49:58 |
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4インチ4H-SiC基板PレベルSI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 抵抗力≥1E9Ω·Cm パワーマイクロ波用2025-04-27 11:43:50 |
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150.0mm +0mm/-0.2mm SiCのエピタキシアル ウエファー二次平たい箱無し3mm2024-10-29 11:49:58 |
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