| ポリタイプ: | 4h | キャリアのタイプ: | N-TYPE |
|---|---|---|---|
| 抵抗: | 0.015~0.028ohm.cm | オリエンテーション: | 4.0°±0.2° |
| 第一次平らなオリエンテーション: | {10-10} ±5.0° | 一次平面長: | 32.5mm±2.0mm |
| ハイライト: | P グレード シリコン カーバイド クリスタル、結晶性シリコン カーバイド 0.028ohm.Cm、4" シリコン カーバイド クリスタル,crystalline silicon carbide 0.028ohm.Cm,4" Silicon Carbide Crystal |
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4" P グレード SiC シード クリスタル 抵抗率 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm
SiCシードクリスタル 4" P学年
SiC は優れた熱伝導体です。SiC は他の半導体材料よりも熱が流れやすい。実際、室温では、SiC はどの金属よりも熱伝導率が高くなります。この特性により、SiC デバイスは非常に高い電力レベルで動作し、発生した大量の余分な熱を放散することができます。
| 6インチSiCインゴット仕様 | ||
| 学年 | 生産グレード | ダミーグレード |
| ポリタイプ | 4H | |
| 直径 | 100.0mm±0.5mm | |
| キャリアタイプ | N型 | |
| 抵抗率 | 0.015～0.028Ω・cm | |
| オリエンテーション | 4.0°±0.2° | |
| プライマリ フラット方向 | {10-10}±5.0° | |
| 一次平面長 | 32.5mm±2.0mm | |
| セカンダリ フラット方向 | Si面：一次平面から時計回り90°±5° | |
| 二次平面長 | 18.0mm±2.0mm | |
| 高輝度光によるエッジクラック | 半径方向の≤1mm | 放射状の≤3mm |
| 高輝度光による六角プレート | サイズ＜1mm、累積面積＜1% | 累積面積＜5% |
| 高輝度光によるポリタイプ領域 | なし | ≤5%エリア |
| マイクロパイプ密度 | 破壊試験です。意見が一致しない場合は、サプライヤーが再テストするためのサンプルを顧客が提供する必要があります。 |
破壊試験です。意見が一致しない場合は、サプライヤーが再テストするためのサンプルを顧客が提供する必要があります。
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| エッジチップ | ≤1、最大長さおよび幅 1 mm | ≤3、最大長さと幅 3 mm |
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
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私たちは工場です。
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