 |
100.0mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級Politype 4H2022-10-09 10:12:00 |
|
|
0.015ohm.cm～0.028ohm.cm シリコンカーバイド水晶Nタイプ2022-09-27 17:01:16 |
|
|
4" P グレード シリコン カーバイド クリスタル抵抗率 0.015ohm.cm から 0.028ohm.cm2022-09-27 17:35:24 |
|
|
100.0mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級18.0mm2022-09-27 17:01:26 |
|
|
第一次平らなLengh 32.5mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級100.0mm2022-09-27 17:01:05 |
|
|
6インチ 4H SiC基板 Nタイプ P SBDグレード 350μm2022-10-24 10:23:04 |
|
|
N型 6inch 4H 炭化ケイ素基板 一次平面長 47.5mm2022-10-24 10:22:34 |
|
|
4H Politypeの単結晶の炭化ケイ素4" Pの等級Siの表面2022-09-27 17:01:35 |
|
|
パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス用の260μmシリコンカーバイド基板Pレベル2023-02-17 17:14:50 |
|
|
半基質150mmを絶縁するPのレベルSIのタイプ6inch 4H SiC2022-10-24 10:21:46 |
