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0.015ohm.cm～0.028ohm.cm シリコンカーバイド水晶Nタイプ2022-09-27 17:01:16 |
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6inch SiCのエピタキシアル ウエファー2022-10-09 16:56:20 |
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47.5 mmの± 1.5 mm SiCのエピタキシアル ウエファー150.0 mm +0mm/-0.2mm平行to<11-20>±1°2024-10-29 11:49:58 |
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JDZJ01-001-002 SiCのインゴット水晶4" Dの等級2025-04-04 22:43:20 |
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4" P グレード シリコン カーバイド クリスタル抵抗率 0.015ohm.cm から 0.028ohm.cm2022-09-27 17:35:24 |
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4インチ 4H-SiC基板 Pレベル N型 350.0±25.0μM MPD≦0.5/Cm2 抵抗率 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm2025-04-04 22:43:25 |
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100.0mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級18.0mm2022-09-27 17:01:26 |
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JDZJ01-001-004 SiC インゴットクリスタル 6" P グレード2025-04-04 22:42:33 |
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第一次平らなLengh 32.5mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級100.0mm2022-09-27 17:01:05 |
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6inch 4H SiC N型基板 47.5mm 二次フラット無し2022-10-24 10:26:17 |
Japanese
