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商品の詳細:
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| 製品名: | GaAs-Siウェーハ | 方位角: | 0° |
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| オリエンテーション: | EJ[0-1-1]±0.5° | OF 長さ (mm): | 17±1 |
| IFの向き: | EJ[0-11]±0.5° | IF長さ(mm): | 7±1 |
| 直径(mm): | 50.8±0.2 | CC(/cc): | 0.4E18~1E18 |
| ハイライト: | 2 "シドープされた基板,Si ドーピング 基質 2 インチ |
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2inch GaAsの（111の） Si添加された基質
概観
GaAsのウエファーのガリウムは半導体、バロメーター、発光ダイオード、温度計および電子回路の生産で使用される一般にある。それは破片で同様に使用されることを容易にするかなり柔らかいおよび銀色の金属。一種のポストの過渡的な金属であるガリウム要素に地球の金属のほとんどと容易に結ぶ機能がある。それは低い溶ける合金の生産で非常に配置される。
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GaAs Siウエファー |
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成長方法 |
VGF |
| 行ないのタイプ | S-C-N |
| 添加物 | GaAs Si |
| オリエンテーション | （TowardAを離れた100） 15°±0.5°<111> |
| オリエンテーションの角度 | 0° |
| オリエンテーションの | EJ [0-1-1] ±0.5° |
| の長さ（mm） | 17±1 |
| オリエンテーションなら | EJ [0-11] ±0.5° |
| 長さ（mm） | 7±1 |
| 直径（mm） | 50.8±0.2 |
| CC （/c.c。） | 0.4E18~1E18 |
| 抵抗（ohm.cm） | N/A |
| 移動性（cm2/v.s） | ≥1000 |
| EPD （/cm2） | ≤5000 |
| 厚さ（um） | 350±20 |
| TTV （um） | <10> |
| TTR （um） | <10> |
| 曲げなさい（um） | <15> |
| 歪めなさい（um） | <15> |
| 表面 | Side1:磨かれたSide2:エッチングされる |
| 包装 | カセットか単一 |
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <>
支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。
コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)
電話番号: +8613372109561
