| ポリタイプ: | 4h | 直径: | 150.0mm±0.5mm |
|---|---|---|---|
| キャリアのタイプ: | N-TYPE | 抵抗: | 0.015~0.028ohm.cm |
| オリエンテーション: | 4.0°±0.2° | 第一次平らなオリエンテーション: | {10-10} ±5.0° |
| 一次平面長: | 47.5mm±2.5mm | 二次平らなオリエンテーション: | Si表面:90°cw.from第一次flat±5° |
| ハイライト: | P級のシシ・インゴット・クリスタル,6?? SiCインゴット結晶 |
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SiC インゴット結晶 6" Pgrade
シリコンカーバイドは、非常に硬い、シリコンと炭素の合成結晶化合物です。その化学式はSiCです。19 世紀後半以来、炭化ケイ素はサンドペーパー、砥石、切削工具の重要な材料でした。
SiC は、電気伝導率が高く、耐酸化性が高く、耐熱衝撃性が高いため、電気発熱体としても使用できます。
| 6インチSiCインゴット仕様 | ||
| 学年 | 生産グレード | ダミーグレード |
| ポリタイプ | 4H | |
| 直径 | 150.0mm±0.5mm | |
| キャリアタイプ | N型 | |
| 抵抗率 | 0.015～0.028Ω・cm | |
| オリエンテーション | 4.0°±0.2° | |
| プライマリ フラット方向 | {10-10}±5.0° | |
| 一次平面長 | 47.5mm±2.5mm | |
| 高輝度光によるエッジクラック | 半径方向の≤1mm | 放射状の≤3mm |
| 高輝度光による六角プレート | サイズ＜1mm、累積面積＜1% | 累積面積＜5% |
| 高輝度光によるポリタイプ領域 | なし | ≤5%エリア |
| マイクロパイプ密度 | 破壊試験です。意見が一致しない場合は、サプライヤーが再テストするためのサンプルを顧客が提供する必要があります。 | 破壊試験です。意見が一致しない場合は、サプライヤーが再テストするためのサンプルを顧客が提供する必要があります。 |
| エッジチップ | ≤2、最大長さおよび幅 1 mm | ≤3、最大長さと幅 3 mm |
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
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