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片面研磨 Ga2O3 基板 単結晶 厚さ 0.6mm 0.8mm2023-02-17 14:30:35 |
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FWHM<350arcsec Ga2O3のウエファーの単結晶の基質の厚さ0.6mmに0.8mm2023-02-17 14:17:37 |
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半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加2022-10-09 10:30:43 |
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Ga2O3 Fe によってドープされるウエファーの単結晶の基質 10x10mm2 の自由な地位2022-10-09 10:34:19 |
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JDCD04-001-002 10x10mm2は（- 201）支えがないGa2O3単結晶の基質プロダクトを等級別にする単一のポーランド語をSn添加した2025-04-27 11:43:51 |
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JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨2025-04-27 11:43:51 |
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Ra 0.3nm Ga2O3 単結晶エピタキシャルウェーハ 2インチ 4インチ2023-02-17 14:34:04 |
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単一の側面の磨かれたGa2O3ウエファーの単結晶の基質2024-10-29 11:49:58 |
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10x15mm2 UID ドープ フリースタンディング Ga2O3 ウェーハ シングル 研磨2022-09-27 16:57:32 |
