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商品の詳細:
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| 等級: | 主 | 成長方法: | CZ |
|---|---|---|---|
| タイプ/添加物: | Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb | 厚さ(μm): | 279 |
| 厚さの許容: | 標準的な± 25μmの最高の機能の± 5μm | 抵抗: | 0.001-100オームcm |
| 終わる表面: | 、P/P、E/E、G/G P/E | TTV （μm）: | 標準的な<10μm、最高Capabilities<5μm |
| ハイライト: | マイクロエレクトロニクス シリコン エピタキシャル ウェーハ、N 型シリコン エピ ウェーハ、279um シリコン エピタキシャル ウェーハ,N Type silicon epi wafer,279um silicon epitaxial wafer |
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厚さ (μm) 279 シリコンウェーハ TTV (μm) 標準 <10 um、最大能力 <5 μメートル
2インチシリコンウェーハ MEMSデバイス、集積回路、ディスクリートデバイス専用基板
概要
シリコン (Si) ウェーハは、調整可能な優れた特性を備えているため、マイクロエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロメカニカル分野の主要な基板材料です。この章では、最初に放電加工技術の概要を説明します。さらに、最適なパラメータ設定で Si 上に 3 次元キャビティを加工するための放電加工技術の能力と性能結果についても説明します。
仕様
| シリコンウェーハ | |
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直径
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2"/3"/4"/5"/6"/8"/12" |
| 学年 | プライム |
| 成長 方法 | CZ |
| オリエンテーション | <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0> |
| タイプ/ドーパント | P型/ボロン、N型/リン、N型/As、N型/Sb |
| 厚さ(μm) | 279/380/525/625/675/725/775 |
| 厚さ 許容範囲 | 標準±25μm、最大能力±5μm |
| 抵抗率 | 0.001～100Ωcm |
| 水面 終了した | P/E、P/P、E/E、G/G |
| TTV(μm) | 標準 <10μm、最大能力 <5 μm |
| 弓・ワープ | 標準 <40 μm、最大能力 <20 μm |
| 粒子 | <10@0.5μm;<10@0.3μm;<10@0.2μm; |
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q：納期はどのくらいですか？
通常、在庫がある場合は3～5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか？
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。
コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)
電話番号: +8613372109561
