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4" 5" 6" Nのタイプ/SbとしてSiのウエファーPのタイプ/ほう素Nのタイプ/2022-09-27 16:54:01 |
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12インチのシリコンの薄片Pのタイプほう素NのタイプPhos2023-02-17 12:42:20 |
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MEMS デバイス シリコン基板 集積回路 専用2022-09-27 16:52:41 |
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半導体デバイス 2 インチ シリコン基板ウェーハ 8" 12"2022-09-27 16:53:03 |
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0.001-100 ohm-cm シリコン ウェーハ P タイプ ボロン ドーパント2022-09-27 16:52:32 |
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4" P グレード シリコン カーバイド クリスタル抵抗率 0.015ohm.cm から 0.028ohm.cm2022-09-27 17:35:24 |
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マイクロエレクトロニクス 279um シリコン エピタキシャル ウェーハ 一次基板2022-09-27 16:51:53 |
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ケイ素は8インチのウエファーの表面P/E P/P E/例えば/Gを終えた2023-02-17 12:41:33 |
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2"半導体のシリコンの薄片の厚さ279μm2022-09-27 16:54:31 |
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NのタイプPhosのシリコンの薄片3"厚さ279um 380um 525um 625um2022-09-27 16:51:42 |
