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Sicのエピタキシアルウエファー

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350um 4H SiC基板

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SiC Nのタイプ基質

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6inch SiCのエピタキシアルウエファー

6inch SiCのエピタキシアルウエファー

中国 Sicのエピタキシアルウエファー

シリコン・エピタキシアル・ウェーバーのシリコン・アンドープ・ガリウムナイトリッドの4インチuGaN

サイズ:4inch

二結晶002:<550arcsec について

二結晶102:<550arcsec について
シリコングリーンLEDエピ・ウェーファーシリカンエピタキシアル・ウェーファー

最小注文数量:5

価格:1000

パッケージの詳細:、25PCS容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーンルームの環境で包まれる
シリコングリーンLEDエピ・ウェーファーシリカンエピタキシアル・ウェーファー

最小注文数量:5

価格:1000

パッケージの詳細:、25PCS容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーンルームの環境で包まれる

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について

GaNのエピタキシアルウエファー: 2inch GaNのエピタキシアルウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した; FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置; 2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアルウエファー: 面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um; 4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um; 単結晶SiCのエピタキシアルウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

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