中国 Sicのエピタキシアル ウエファー

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  150.0mm +0mm/-0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 47.5mm ± 1.5mm

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  表面のオリエンテーション:Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5の°

  第一次平らな長さ:47.5mmの± 1.5mm

  接触
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  要求の厳しいパワーエレクトロニクス向けの2インチSiC基板350μm

  結晶形:4h

  製品名:2inch diameterSiliconの炭化物（SiC）の基質の指定

  直径:50.8mm±0.38mm

  接触
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  0.015Ω•cm0.025Ω•cm SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

  製品名:6インチ（直径）の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定

  第一次平らなオリエンテーション:{10-10} ±5.0°

  結晶形:4h

  接触
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  二次平坦SiC基板なし 150.0mm 47.5mm

  結晶形:4h

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  直径:150.0mm +0mm/-0.2mm

  接触
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  ポリタイプ なし 可 SiC エピタキシャルウェーハ P-MOS P-SBD D グレード

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  第一次平らな長さ:47.5mmの± 1.5mm

  直径:150.0mm +0mm/-0.2mm

  接触
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  パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス用の260μmシリコンカーバイド基板Pレベル

  結晶形:4h

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  直径:150.0mm +0mm/-0.2mm

  接触
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  150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 4H クリスタルフォーム

  直径:150.0mm +0mm/-0.2mm

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  表面のオリエンテーション:Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5の°

  接触
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  P MOSの等級は2インチSiC EpiのウエファーPのレベルP SBD Dの等級150.0mmを等級別にする

  結晶形:4h

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  直径:150.0mm +0mm/-0.2mm

  接触
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  4H SiCのエピタキシアル ウエファー≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm0.025Ω•cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  結晶形:4h

  Polytype:どれも割り当てなかった

  接触
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  力装置マイクロウェーブ装置のための2インチの半導体ウエハーPのレベル260μm

  結晶形:4h

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  直径:150.0mm +0mm/-0.2mm

  接触
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  フォトニック デバイス ISO9001 用の 4H SiC エピタキシャル ウエファー SiC ウエファー基板

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  結晶形:4h

  直径:150.0 mm +0mm/-0.2mm

  接触
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  6inch 4H SiC N型基板 47.5mm 二次フラット無し

  結晶形:4h

  表面金属汚染:(Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Pb、Na、K、Ti、Ca、V、Mn) ≤1E11cm⁻²

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  接触