中国 Sicのエピタキシアル ウエファー

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  単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  結晶形:4h

  表面の終わり:C表面:光学ポーランド語のSi表面:CMP

  接触
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  4インチ 4H-SiC基板 Pレベル N型 350.0±25.0μM MPD≦0.5/Cm2 抵抗率 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  結晶形:4h

  直径:100.0mm+0.0/-0.5mm

  接触
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  2インチ パワーデバイス 高電子移動性トランジスタ エピタキシアル・ウェーファー

  サイズ:2インチ

  耐性 (300K):< 350 Ω/□

  電子濃度:>1800cm2/V·S

  接触
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  2インチ GaN シリコン HEMT エピ・ウエファー 電力装置

  サイズ:2インチ

  耐性 (300K):< 350 Ω/□

  電子濃度:>1800cm2/V·S

  接触
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  シリコンHEMTエピ・ウェーファー電源装置 ガリウムナイトリッド

  サイズ:6インチ

  耐性 (300K):< 350 Ω/□

  電子濃度:> 9.0E12cm-2

  接触
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  青いLED GaN シリコン・ウェーファー 青いレーザー GaN エピタキシアル・ウェーファー

  サイズ:2~4インチ

  最小注文数量:5

  パッケージの詳細:、25PCS容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる

  接触
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  2インチガナシリコン緑色LEDエピウエファーシリコンガリウムナトリド

  サイズ:2インチ

  最小注文数量:5

  パッケージの詳細:、25PCS容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる

  接触
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  シリコンに2インチガナリン 青いLDエピウエファー

  サイズ:2インチ

  最小注文数量:5

  パッケージの詳細:、25PCS容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる

  接触
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  シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチ シリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

  サイズ:2インチ

  IQE:知らない

  内部損失:未知数

  接触
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  AlGaNバリア 4インチ GaN シリコンHEMT Epi ワッフルガリウムナイトリド GaN-on-Si

  サイズ:2インチ

  耐性 (300K):< 350 Ω/□

  電子濃度:> 9.0E12cm-2

  接触
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  シリコン・エピタキシアル・ウェーバーのシリコン・アンドープ・ガリウムナイトリッドの4インチuGaN

  サイズ:4inch

  二結晶002:<550arcsec について

  二結晶102:<550arcsec について

  接触
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  シリコングリーンLEDエピ・ウェーファーシリカンエピタキシアル・ウェーファー

  最小注文数量:5

  価格:1000

  パッケージの詳細:、25PCS容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる

  接触