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ga2o3 substrate single crystal オンライン製造

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購入 JDCD04-001-003 10x10mm2 100(オフ 6°) Fe ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨 オンライン メーカー

JDCD04-001-003 10x10mm2 100(オフ 6°) Fe ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨
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2022-10-09 10:29:17
購入 JDCD04-001-002 10x10mm2は（- 201）支えがないGa2O3単結晶の基質プロダクトを等級別にする単一のポーランド語をSn添加した オンライン メーカー

JDCD04-001-002 10x10mm2は（- 201）支えがないGa2O3単結晶の基質プロダクトを等級別にする単一のポーランド語をSn添加した
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2022-10-09 10:30:00
購入 JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨 オンライン メーカー

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨
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2023-02-17 14:49:57
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について

GaNのエピタキシアル ウエファー

2inch GaNのエピタキシアル ウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置

2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアル ウエファー

面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um

単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

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