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side polished ga2o3 wafer オンライン製造

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購入 JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨 オンライン メーカー

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨
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2023-02-17 14:49:57
購入 半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加 オンライン メーカー

半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加
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2022-10-09 10:30:43
購入 JDCD04-001-003 10x10mm2 100(オフ 6°) Fe ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨 オンライン メーカー

JDCD04-001-003 10x10mm2 100(オフ 6°) Fe ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨
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2022-10-09 10:29:17
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について

GaNのエピタキシアル ウエファー

2inch GaNのエピタキシアル ウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置

2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアル ウエファー

面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um

単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

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