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電子グレード CVD ダイヤモンド基板 誘電率 5.52022-09-27 17:12:44 |
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3つのX 3mm2 CVDのダイヤモンドの基質N内容<脱熱器のための100ppb2022-10-09 09:54:10 |
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遠赤外線への 3.515g/cm3 CVD のダイヤモンドの基質の軽い透過率 225nm2022-09-27 17:12:16 |
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Wm K 1000 | 2000年のCVDのダイヤモンドの基質の熱伝導性300K2022-09-27 17:13:12 |
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シリコンの薄片のGaNの基質の前部表面の粗さGaN2022-10-08 17:19:48 |
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JDCD05-001-007 CVDのダイヤモンドの基質2025-04-04 22:43:03 |
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4H SiCのエピタキシアル ウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm2024-10-29 11:49:58 |
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R Type 50mm Sapphire Wafer Thickness 420μm OF length (mm) 16個のLEDチップ2023-02-17 11:23:22 |
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SP Face 5 X 10mm2 窒化ガリウム基板 350um2022-10-08 16:41:01 |
Japanese
