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JDCD10-001-005 2inch GaAs(111) Znドープ基板

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JDCD10-001-005 2inch GaAs(111) Znドープ基板

JDCD10-001-005 2inch GaAs(111) Znドープ基板
JDCD10-001-005 2inch GaAs(111) Znドープ基板

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商品の詳細:
起源の場所: 蘇州中国
ブランド名: GaNova
証明: UKAS/ISO9001:2015
モデル番号: JDCD10-001-005
お支払配送条件:
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
受渡し時間: 3-4 週日
支払条件: T/T
供給の能力: 10000pcs/Month

JDCD10-001-005 2inch GaAs(111) Znドープ基板

説明
製品名: GaAs-Siウェーハ 成長方法: VGF
行為の種類: S-C-N オリエンテーション: (100) 15°±0.5° オフに向かって<111>あ
方位角: 180° オリエンテーション: EJ[0-1-1]±0.5°
OF 長さ (mm): 17±1 IF長さ(mm): 7±1

2inch GaAs(111) Znドープ基板

 

概要
GaAs結晶は、3つの異なる方法で作成できます。より一般的な方法の 1 つは、垂直勾配凍結プロセスです。これは、結晶を成長させてスライスした後、エッジを丸め、研磨してウェーハにします。もう 1 つの方法は、ブリッジマン-ストックバーガー法です。

 

 

GaAs-Znウェーハ
成長方法 VGF
行為の種類 SCN
ドーパント GaAs-Zn
オリエンテーション (100)<111>A方向へ15°±0.5°オフ
方位角 180°
オリエンテーション EJ[0-1-1]±0.5°
OF 長さ (mm) 17±1
IFの向き EJ[0-11]±0.5°
IF長さ(mm) 7±1
直径(mm) 50.8±0.2
CC(/cc) 0.2E19~4.0E19
抵抗率(Ω・cm) なし
可動性(cm2/vs) 1000以上
EPD(/cm2) ≤5000
厚さ(ええと) 350±25
TTV(ええと) <10
TTR(ええと) <10
弓(うーん) <15
反り(うーん) <15
水面 Side1: ポリッシュ Side2: エッチング
エピレディー はい
包装 カセット

 

 

 

 

私たちに関しては

私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。

 

よくある質問

Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q:納期はどのくらいですか?
通常、在庫がある場合は3~5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか?
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。

 

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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