| ゆがみ（μm）: | ≤50μm | 直径: | 153±0.5mm |
|---|---|---|---|
| 主位置決め刃長: | 8.0±2.0 | 厚さ: | 500±50mm |
| 弓: | ≤50μm | 単結晶の地帯の直径（mm）: | ≥150MM |
SiCの種結晶Sの等級6" Sの等級φ153±0.5mm
SiCはアヴァランシェ・ブレークダウンを経ないでSiかGaAsより8倍より大きい上の電圧勾配（か電界に）抗できる。この高い故障の電界はダイオードのような非常に高圧、強力な装置、力のtransitors、力のサイリスタおよびサージ サプレッサー、また高い発電マイクロウェーブ装置の製作を可能にする。さらに、それは装置が非常にすぐそばに置かれるようにし高い装置記録密度を集積回路に提供する。
| 等級 | Sのレベル | Sのレベル |
| 種結晶の指定 | 6" SiC | 6" SiC |
| 直径（mm） | 153±0.5 | 155±0.5 |
| 厚さ（μm） | 500±50 | 500±50 |
| 弓（μm） | ≤50 | ≤50 |
| ゆがみ（μm） | ≤50 | ≤50 |
| 水晶オリエンテーション | 4°off軸線toward±0.5°<11-20> | 4°off軸線toward±0.5°<11-20> |
| 主要な位置の端の長さ | 18.0±2.0 | 18.0±2.0 |
| Subpositionのdegeの長さ | 8.0±2.0 | 8.0±2.0 |
| 端の方向の位置 |
Siの表面:主要な位置の側面に沿って右回りに回しなさい:90°±5° Cの表面:主要な位置の側面に沿って左回りに回しなさい:90°±5° |
Siの表面:主要な位置の側面に沿って右回りに回しなさい:90°±5° Cの表面:主要な位置の側面に沿って左回りに回しなさい:90°±5° |
| 抵抗 | 0.01~0.04Ω·cm | 0.01~0.04Ω·cm |
| 表面の粗さ | DSPのCの表面Ra≤1.0nm | DSPのCの表面Ra≤1.0nm |
| 単結晶の地帯の直径（mm） | ≥150mm | ≥152mm |
| 微小管密度 | ≤0.5/cm2 | ≤0.5/cm2 |
| 崩壊の側面 | ≤2mm | ≤2mm |
| 包装方法 | 単一部分のパッキング | 単一部分のパッキング |
| 注目:単結晶の地帯はひびおよびpolytypeなしで区域を示す。 | ||
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
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私達は工場である。
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はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <>
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コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)
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