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94um半導体レーザーの破片斜面の効率1.0W/Aの波長915nm

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94um半導体レーザーの破片斜面の効率1.0W/Aの波長915nm

94um半導体レーザーの破片斜面の効率1.0W/Aの波長915nm
94um半導体レーザーの破片斜面の効率1.0W/Aの波長915nm

大画像 :  94um半導体レーザーの破片斜面の効率1.0W/Aの波長915nm

商品の詳細:
起源の場所: 蘇州中国
ブランド名: GaNova
お支払配送条件:
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
支払条件: T/T

94um半導体レーザーの破片斜面の効率1.0W/Aの波長915nm

説明
タイプ: 半導体レーザー パッケージのタイプ: 表面実装、標準パッケージ
波長: 915nm 出力電力: 10
スロープ効率: 1.0W/A エミッターサイズ: 94μm
しきい電流: 0.5A 電力変換効率: 58%
ハイライト:

94um半導体レーザーの破片

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高い発電の半導体レーザーの破片

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1.0W/A半導体レーザーの破片

94 μmの半導体レーザーの破片斜面の効率1.0W/Aの波長915nm

Submountの設計の915nm 10W COSのダイオード レーザーの破片

低い電力の消費のために半導体レーザー(LD)からの出力が光学導波管に効率的につながれる、および点サイズのコンバーター(SSC)の有無にかかわらず複数のアプローチが報告したで文献、かすかなカップリングおよびバット接合箇所のカップリングのような、あることは必要である。

但し、高い実用温度の安定したlasing操作はレーザーの性能で悪い熱放散が低下に導くためにある誘電材料で光源以来問題となり普通統合される。フォトディテクター(PDs)はまた探知器材料としてオン破片の統合技術のための主要部分、および両方とも混合の物質的なシステムおよびゲルマニウム(GE)首尾よく雇われたである。

光学
中心の波長
915nm
出力電力
10W
分光幅FWHM
≤6nm
斜面の効率
1.0W/A
速い軸線の発散
60Deg
遅い軸線の発散
11Deg
分極モード
TE
エミッターのサイズ
94um
電気
境界の流れ
0.5A
動作電流
12A
作動の電圧
1.65V
力の変換効率
58%
上昇温暖気流
実用温度
15-55℃
保管温度
-30-70℃
波長の臨時雇用者。係数
0.3nm/℃
デッサン

94um半導体レーザーの破片斜面の効率1.0W/Aの波長915nm 0

FAQ

Q1:どんな支払方法を支えるか。
あなたの選択のためのT/Tそしてウェスタン・ユニオン、

Q2:どの位私はパッケージを受け取ってもいいか。
普通1-2週Federal Express、UPS明白な、DHL TNT

Q3:調達期間は何であるか。
標準的なプロダクトは在庫のすべてある。3~4仕事日以内に明白によって出荷。カスタマイズされた積み重ねは15仕事日を必要とする。

Q4:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は11年間以上の経験の製造業者で、またすべての顧客に技術的な解決を提供する。

Q5:あなたの質を保証できるか。
当然、私達は中国の上の評判が高い製造業者の1才である。私達のための質は私達の評判に重要な事柄、私達置いた高い値をである。最もよい質はいつも私達の主義である。

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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