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ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面2024-10-29 11:49:57 |
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FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置2024-10-29 11:49:57 |
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4 インチ N 型 UID ドープ GaN オン サファイア ウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャル ウェーハ2025-04-04 22:43:54 |
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AlGaNバリア 4インチ GaN シリコンHEMT Epi ワッフルガリウムナイトリド GaN-on-Si2024-12-06 17:33:44 |
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シリコンHEMTエピ・ウェーファー電源装置 ガリウムナイトリッド2024-12-06 17:38:23 |
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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチ シリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー2024-12-06 17:35:32 |
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シリコンに2インチガナリン 青いLDエピウエファー2024-12-06 17:35:32 |
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2インチガナシリコン緑色LEDエピウエファーシリコンガリウムナトリド2024-12-06 17:35:32 |
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支えがない N GaN の基質 N の表面の粗さ 0.5um to1.5um2022-10-08 17:14:45 |
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GaNの単結晶の基質2023-02-17 17:55:56 |
Japanese
