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gan epitaxial wafer オンライン製造

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購入 4インチ4H-SiC基板PレベルSI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 抵抗力≥1E9Ω·Cm パワーマイクロ波用 オンライン メーカー

4インチ4H-SiC基板PレベルSI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 抵抗力≥1E9Ω·Cm パワーマイクロ波用
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2025-04-27 11:43:50
購入 背部表面の粗さ0.8umへの1.2umはサファイアの基質の幅16mmを模造した オンライン メーカー

背部表面の粗さ0.8umへの1.2umはサファイアの基質の幅16mmを模造した
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2022-09-27 16:46:21
購入 フラットエッジアングル 16mm パターン化サファイア基板前面 オンライン メーカー

フラットエッジアングル 16mm パターン化サファイア基板前面
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2022-10-09 10:43:37
購入 パターン付き 2インチ サファイア基板 LEDチップ基板 50.80mm オンライン メーカー

パターン付き 2インチ サファイア基板 LEDチップ基板 50.80mm
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2022-10-09 10:43:12
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について

GaNのエピタキシアル ウエファー

2inch GaNのエピタキシアル ウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置

2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアル ウエファー

面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um

単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

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