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A 面 N 型自立型 GaN ガリウム単結晶基板 アンドープ2023-02-17 11:02:58 |
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単結晶窒化ガリウム半導体ウェーハ TTV 10um2024-10-29 11:49:57 |
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10 × 10.5 mm2 自由に立つGaN基板 - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm2025-04-27 11:43:50 |
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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス2025-04-04 22:43:44 |
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5*10mm2 M表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー2025-04-04 22:43:38 |
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10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質の厚さ350の±25 µm TTVの≤ 10のµm2025-04-04 22:43:27 |
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5*10mm2 SP表面（10-11） Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置2025-04-04 22:43:36 |
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5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー2025-04-04 22:43:36 |
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M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）2025-04-04 22:43:30 |
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