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4インチ 4H-SiC基板 Pレベル N型 350.0±25.0μM MPD≦0.5/Cm2 抵抗率 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm2022-10-24 10:38:02 |
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4" P グレード シリコン カーバイド クリスタル抵抗率 0.015ohm.cm から 0.028ohm.cm2022-09-27 17:35:24 |
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100.0mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級18.0mm2022-09-27 17:01:26 |
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要求の厳しいパワーエレクトロニクス向けの2インチSiC基板350μm2023-02-17 15:34:54 |
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第一次平らなLengh 32.5mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級100.0mm2022-09-27 17:01:05 |
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100.0mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級Politype 4H2022-10-09 10:12:00 |
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4H SiCのエピタキシアル ウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm2023-02-17 15:19:25 |
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150mm 4H SiCウエハー半絶縁基板 6inch 350μm2022-10-24 10:22:12 |
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0.015Ω•cm0.025Ω•cm SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP2023-02-17 15:51:34 |
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2inch GaNのエピタキシアル ウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した2023-03-22 16:09:10 |
