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JDZJ01-001-002 SiCのインゴット水晶4" Dの等級2022-10-09 10:07:26 |
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JDZJ01-001-004 SiC インゴットクリスタル 6" P グレード2022-09-29 15:53:31 |
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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス2023-03-23 16:58:53 |
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半基質150mmを絶縁するPのレベルSIのタイプ6inch 4H SiC2022-10-24 10:21:46 |
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シリコンの薄片のGaNの基質の前部表面の粗さGaN2022-10-08 17:19:48 |
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SP Face 5 X 10mm2 窒化ガリウム基板 350um2022-10-08 16:41:01 |
