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100.0mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級Politype 4H2022-10-09 10:12:00 |
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100.0mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級18.0mm2022-09-27 17:01:26 |
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第一次平らなLengh 32.5mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級100.0mm2022-09-27 17:01:05 |
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E/終わる例えば/Gの表面分離した装置Si基質P/E P/P2022-09-27 16:53:50 |
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6インチ 4H SiC基板 Nタイプ P SBDグレード 350μm2022-10-24 10:23:04 |
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5x10mm2 SP-Face 10-11 無ドーピング N型自由立体GANシングルクリスタル基板 TTV ≤ 10μm 抵抗力0.05 Ω·cm2025-04-27 11:43:51 |
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5*10mm2 SP表面（10-11） Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置2025-04-04 22:43:36 |
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成長方法CZのシリコンの薄片5"オリエンテーション<1-0-0>、<1-1-1>、<1-1-0>2022-09-27 16:53:40 |
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主な2"シリコンの薄片の標準的な<10 μm最高Capabilities<5um2022-09-27 16:52:11 |
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CZのケイ素の半導体ウエハー380um 525um 625um2022-09-27 16:51:27 |
Japanese
