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シリコンHEMTエピ・ウェーファー電源装置 ガリウムナイトリッド2024-12-06 17:38:23 |
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A 面方位 サファイアウェーハ 鏡面研磨 EPI 対応2023-02-17 10:18:27 |
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自由な地位U/SI GaNのエピタキシアル ウエファー50.8 mm 350 um2022-10-08 17:12:14 |
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50.8mmガリウム窒化物の半導体ウエハー2インチの自由な地位2022-10-08 17:22:16 |
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4インチによってMg添加されるGaN/サファイアの基質SSP Resistivity~10Ω cm LEDレーザーPINのエピタキシアル ウエファー2025-04-04 22:43:47 |
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50mmのサファイアのウエファーR9ミラーはEPIの準備ができたウエファーの端Rのタイプを磨いた2023-02-17 10:17:17 |
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6inch SiCのエピタキシアル ウエファー2022-10-09 16:56:20 |
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47.5 mmの± 1.5 mm SiCのエピタキシアル ウエファー150.0 mm +0mm/-0.2mm平行to<11-20>±1°2024-10-29 11:49:58 |
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4H SiCのエピタキシアル ウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm2024-10-29 11:49:58 |
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2インチ パワーデバイス 高電子移動性トランジスタ エピタキシアル・ウェーファー2024-12-06 17:41:10 |
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