中国 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. 地図

GaNのエピタキシアル ウエファー

• 5x10mm2 Sp 面 Gan エピタキシャルウェーハ Un Doped Si タイプ Gan 単結晶基板
• シリコンの薄片のGaNの基質の前部表面の粗さGaN
• Mの表面GaNのエピタキシアル ウエファーの自由な立つGaNの基質325um TTV 10um
• 国連はNのタイプGaNの単結晶の基質5x10mm2 Mの表面を添加した

Sicのエピタキシアル ウエファー

• 150.0mm +0mm/-0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 47.5mm ± 1.5mm
• 要求の厳しいパワーエレクトロニクス向けの2インチSiC基板350μm
• 0.015Ω•cm0.025Ω•cm SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP
• 二次平坦SiC基板なし 150.0mm 47.5mm

GaAsエピウェーハ

• JDCD10-001-003 2インチ GaAs ((100) Znドーピング基板
• JDCD10-001-002 2インチガア (100) シドープされた基板
• JDCD10-001-001 2inch GaAs (100) アンドープ基板

CVDダイヤモンド基板

• JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mmの電子等級の単結晶のダイヤモンド、N Content<100ppbのXRD<0.015ºの熱伝導性
• JDCD05-001-005 5*5mm2*0.5mm 電子グレード単結晶ダイヤモンド、N含有量
• JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mmの電子等級の単結晶のダイヤモンド、N Content<100ppbのXRD<0.015ºの熱伝導性

窒化アルミニウムのウエファー

• 磨かれる 2inch 窒化アルミニウムのウエファーの片面または両面
• 1inch窒化アルミニウムのAlNの単結晶のサファイアのウエファー400um
• JDWY01-001-002 2 インチ厚のフィルム (1,2)Um AIN サファイア・ウェーファー DSP XRD FWHM Of ((002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec
• JDCD02-001-004 10*10mm2 AlNの単結晶400±50μM S/P/Rの等級

Ga2O3 ウエハー

• JDCD04-001-002 10x10mm2は（- 201）支えがないGa2O3単結晶の基質プロダクトを等級別にする単一のポーランド語をSn添加した

シリコンの薄片

• ディスクリート デバイス 2 インチ シリコン ウェーハの厚さ 675um 725um 775um
• 775um 725um 675um 8インチのウエファーの半導体デバイス
• 2"半導体のシリコンの薄片の厚さ279μm
• MEMS デバイス シリコン基板 集積回路 専用

サファイアのウエファー

• 鏡面研磨サファイアウェーハ EPI 対応前面
• JDCD08-001-003 2 インチ M 平面 サファイア 基板 ウェーファー
• JDCD08-001-002 2インチA平面サファイア基板のウエファー
• JDCD08-001-007 8 インチ C 面サファイア基板ウェーハ