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GaNのエピタキシアルウエファー

Sicのエピタキシアルウエファー

窒化アルミニウムのウエファー

ALN 10*10mm2 AlN シングルクリスタル 400±50μM S/P/Rグレード

シリコンの薄片

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連絡先の詳細

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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GaNのエピタキシアルウエファー

2inch GaNのエピタキシアルウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置

2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアルウエファー

面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um

単結晶SiCのエピタキシアルウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP