中国 GaNのエピタキシアル ウエファー

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  サファイア SSP 上のフラット サファイア 4 インチ青色 LED GaN エピタキシャル ウェーハ

  製品名:4inch GaNサファイアの青/緑LEDのウエファー

  厚さ:650 ± 25μm

  オリエンテーション:M軸線0.2の± 0.1°の方の角度を離れたCの平面（0001）

  接触
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  支えがない N GaN の基質 N の表面の粗さ 0.5um to1.5um

  製品名:N-GaNの2インチの支えがない基質

  次元:50.0 ±0.3mm

  項目:GaN FSC N C50 SSP

  接触
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  100mm 4はサファイアSSPの厚さ5um - 6umの青いLED GaNのエピタキシアル ウエファーをじりじり動かす

  タイプ:平らなサファイア

  製品名:4inch GaNサファイアの青/緑LEDのウエファー

  ポーランド:（SSP）磨かれる/磨かれる二重側面単一の側面（DSP）

  接触
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  12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

  製品名:N-GaNの2インチの支えがない基質

  次元:50.0 ±0.3mm

  厚さ:400 ± 30μm

  接触
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  4 インチ青色 LED GaN エピタキシャル ウェーハ C 面フラット サファイア

  タイプ:平らなサファイア

  製品名:4inch GaNサファイアの青/緑LEDのウエファー

  ポーランド:（SSP）磨かれる/磨かれる二重側面単一の側面（DSP）

  接触
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  A 面 N 型自立型 GaN ガリウム単結晶基板 アンドープ

  製品名:GaNの単結晶の基質

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  5*10mm2 SP-Face 無ドーピング N型自由立体ガナ単結基質 20-21 / 20-2-1 10mm2 抵抗力 0.05 Ω·cm

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  350 ± 25μm 厚さ 塩基配合されていないN型自由立体GANシングルクリスタル基板 TTV ≤ 10μm 抵抗度は0.1 Ω·cm

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  SP-Face 11-12 無ドーピング N型自由立体GAN単結晶基板 抵抗力0.05 Ω·cm マクロ欠陥密度0cm−2

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  オリエンテーション:（C軸線- 1 ±0.2°の方の角度を離れたM軸線0 ±0.5° （11-22）の平面の方の角度を離れた11-22の）平面

  接触
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  電力装置 5x10mm2 無ドープ N型自由立体GANシングルクリスタル基板 抵抗力0.1 Ω·cmとBOW 10μm以内

  次元:5 x 10mmの²

  オリエンテーション:（C軸線- 1 ±0.2°の方の角度を離れたM軸線0 ±0.5° （11-22）の平面の方の角度を離れた11-22の）平面

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  5x10mm2 SP-Face 10-11 無ドーピング N型自由立体GANシングルクリスタル基板 TTV ≤ 10μm 抵抗力0.05 Ω·cm

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  5*10mm2 SP-Face 10-11 無ドーピング N型自由立 GaN単結晶基板 0.1 Ω·cm 電源装置に対する耐性

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  オリエンテーション:(10- 11) A軸方向への平面オフ角度 0 ±0.5° (10- 11) C軸方向への平面オフ角度 - 1 ±0.2°

  接触