中国 GaNのエピタキシアル ウエファー

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  5x10mm2 Sp 面 Gan エピタキシャルウェーハ Un Doped Si タイプ Gan 単結晶基板

  製品名:支えがないGaNの単結晶の基質

  次元:5 x10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  シリコンの薄片のGaNの基質の前部表面の粗さGaN

  製品名:MはGaNの支えがない基質に直面する

  次元:5×10.5mm²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  Mの表面GaNのエピタキシアル ウエファーの自由な立つGaNの基質325um TTV 10um

  製品名:GaN基板

  次元:5×10.5mm²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  国連はNのタイプGaNの単結晶の基質5x10mm2 Mの表面を添加した

  製品名:GaNの単結晶の基質

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  ドープされていない GaN エピタキシャル ウェーハ M 面自立型 GaN 基板

  製品名:GaNの支えがない基質

  次元:² 5つx 10のmmの

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  GaNガリウム窒化物のウエファーの厚さ325um - 375um支えがない

  製品名:GaNの単結晶の基質

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  5 X 10 mm2 M 面 GaN エピタキシャル ウェーハ厚 325um 375um

  製品名:GaN基板

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  単結晶窒化ガリウム半導体ウェーハ TTV 10um

  次元:² 5つx 10のmmの

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  表面GaNのエピタキシアル ウエファーの自由な立つGaNの基質

  製品名:表面支えがないGaNの基質

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  厚さ370um 430umの2インチのGaN Epiのウエファーは50mmの寸法を測る

  製品名:N-GaNの2インチの支えがない基質

  弓:≤ 20μm

  オリエンテーションの平たい箱:（1 - 100） ±0.1˚の12.5の± 1mm

  接触
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  サファイアSSPの平らなサファイアの675um 4インチ青いLED GaNのエピタキシアル ウエファーへの625um

  製品名:4inch GaNサファイアの青/緑LEDのウエファー

  タイプ:平らなサファイア

  厚さ:650 ± 25μm

  接触
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  サファイアのウエファーの青緑LEDのウエファーの平らなサファイアの4inch GaN 100つのmm

  製品名:4inch GaNサファイアの青/緑LEDのウエファー

  厚さ:650 ± 25μm

  タイプ:平らなサファイア

  接触