中国 GaNのエピタキシアル ウエファー

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  高電圧高周波チップの生産に不可欠なGaNエピタキシアル・ウェーファー

  タイプ::平らなサファイア

  ポリス:（SSP）磨かれる/磨かれる二重側面単一の側面（DSP）

  サイズ:50.8±0.2 mm (2in)/100±0.2 mm ((4in)/150 +0.2 mm (6in)

  接触
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  625um から 675um 4 インチ ブルー LED ガリウムナイトリッド GaN エピタキシアル・ウェーファー・オン・ザファイア SSP フラット・ザファイア

  製品名:4inch GaNサファイアの青/緑LEDのウエファー

  タイプ:平らなサファイア

  厚さ:650 ± 25μm

  接触
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  GaN 2 インチガリウムナイトリド シングルクリスタル基板

  最小注文数量:1

  パッケージの詳細:内包装:ウエファー専用包装箱,外包装:紙箱包装,内蔵ショック吸収フィルム

  支払条件:T/T

  接触
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  シングルクリスタルガンエピ・ウェーファー ガリウムナイトリド基板 4インチ

  最小注文数量:1

  パッケージの詳細:内包装:ウエファー専用包装箱,外包装:紙箱包装,内蔵ショック吸収フィルム

  支払条件:T/T

  接触
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  4インチFeドーピングフリースタンドガン基板ガリウムナイトリド

  最小注文数量:1

  パッケージの詳細:内包装:ウエファー専用包装箱,外包装:紙箱包装,内蔵ショック吸収フィルム

  支払条件:T/T

  接触
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  シリコンウェーハ上の 2 インチ緑色 LED GaN 寸法 520±10nm

  製品名:シリコンの薄片の緑主導のGaN

  サイズ:2インチ4インチ

  基質の構造:20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Siの（111の）基質

  接触
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  5*10mm2 SP表面（20-21）/（20-2-1） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  5*10mm2 SP表面（11-12） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.1 Ω·cm力装置

  次元:5 x 10mmの²

  オリエンテーション:（C軸線- 1 ±0.2°の方の角度を離れたM軸線0 ±0.5° （11-22）の平面の方の角度を離れた11-22の）平面

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  5*10mm2 SP 面 (11-12) アンドープ N 型自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  オリエンテーション:（C軸線- 1 ±0.2°の方の角度を離れたM軸線0 ±0.5° （11-22）の平面の方の角度を離れた11-22の）平面

  接触
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  5*10mm2 M表面Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置ウエファー

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  弓:- 10µmの≤の弓≤ 10µm

  接触
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  5*10mm2 SP表面（10-11） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  5*10mm2 SP表面（10-11） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗<0.1 Ω·cm力装置

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  オリエンテーション:(10- 11) A軸方向への平面オフ角度 0 ±0.5° (10- 11) C軸方向への平面オフ角度 - 1 ±0.2°

  接触