中国 GaNのエピタキシアル ウエファー

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  5*10mm2 M表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  5*10mm2 SP表面（10-11） Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  オリエンテーション:(10- 11) A軸方向への平面オフ角度 0 ±0.5° (10- 11) C軸方向への平面オフ角度 - 1 ±0.2°

  接触
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  5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  オリエンテーション:C軸線- 1 ±0.2°の方の角度を離れたM軸線0 ±0.5° Aの平面（11-20）の方の角度を離れた平面（11-20）

  接触
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  5*10mm2 SP表面（11-12） Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  オリエンテーション:（C軸線- 1 ±0.2°の方の角度を離れたM軸線0 ±0.5° （11-22）の平面の方の角度を離れた11-22の）平面

  接触
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  5*10mm2表面Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置ウエファー

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

  次元:10×10.5mm²

  厚さ:350 ±25µm

  オリエンテーション:C面(0001) M軸方向へのオフ角 0.35 ±0.15°

  接触
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  厚さ 350 ±25 µm 10 X 10.5 mm2 自立型 GaN 基板

  製品名:GaNの支えがない基質

  次元:10×10.5mm²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質の厚さ350の±25 µm TTVの≤ 10のµm

  製品名:GaNのエピタキシアル ウエファー

  次元:10×10.5mm²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  サファイアのウエファーSSP Resistivity<0.05 Ω cm LED、レーザーのPINのエピタキシアル ウエファーの4インチNタイプのSi添加されたGaN

  製品名:4 インチ Si ドープ GaN/サファイア基板

  厚さ/厚さSTD:4.5 ± 0.5μm/< 3%

  オリエンテーション:C 面 (0001) A 軸方向へのオフ角度 0.2 ± 0.1 °

  接触
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  GaN 基板 Ga 面の表面粗さ < 0.2 nm (研磨) または < 0.3 nm (研磨およびエピタキシーの表面処理)

  製品名:GaNの単結晶の基質

  次元:10×10.5mm²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  AlGaN Buffer Thickness 600nm 2inch Blue-LED GaN On Silicon Wafer

  次元:2インチ/4インチ

  AlGaNの緩衝厚さ:600NM

  Longueurのd'ondeレーザー:455±10nm

  接触
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  LEDレーザーPINデバイスのための2 ′′6インチN型ガナオンサファイアエピタキシアルウェーファー

  タイプ::平らなサファイア

  ポリス:（SSP）磨かれる/磨かれる二重側面単一の側面（DSP）

  サイズ:50.8±0.2 mm (2in)/100±0.2 mm ((4in)/150 +0.2 mm (6in)

  接触