中国 GaNのエピタキシアル ウエファー

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  マクロデフェクト密度 0cm−2 無ドーピング式 SI型 無線通信機器のための自由立体GANシングルクリスタル基板 5*10mm2 M面

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  弓:- 10µmの≤の弓≤ 10µm

  接触
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  TTV ≤ 10μm A-Face 無ドーピング N型自由立体 GaN シングルクリスタル基板 抵抗性 0.1 Ω·cm 電力装置/レーザー W

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25 µm

  オリエンテーション:C軸線- 1 ±0.2°の方の角度を離れたM軸線0 ±0.5° Aの平面（11-20）の方の角度を離れた平面（11-20）

  接触
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  10*10.5mm2 C-Face Fe-Doped SI型自由立体GaNシングルクリスタル基板 マクロデフェクト密度 0cm−2 TTV ≤ 10μm 抵抗 106 Ω·Cm RFデバイス

  次元:10×10.5mm²

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10のµm

  接触
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  2インチ緑色LEDガナオンシリコン・ウェーバー 寸法520±10nm

  製品名:シリコンの薄片の緑主導のGaN

  サイズ:2インチ4インチ

  基質の構造:20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Siの（111の）基質

  接触
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  10 X 10.5 mm2 C 顔 無剤 N タイプ 立立体 単結晶基板

  製品名:GaNの単結晶の基質

  次元:10×10.5mm²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  10 × 10.5 mm2 自由に立つGaN基板 - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

  製品名:GaNのエピタキシアル ウエファー

  次元:10×10.5mm²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  4 インチ N 型 UID ドープ GaN オン サファイア ウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャル ウェーハ

  次元:100 ± 0.2mm

  厚さ/厚さSTD:< 4.5 ± 0.5μm/3%

  オリエンテーション:C 面 (0001) A 軸方向へのオフ角度 0.2 ± 0.1 °

  接触
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  4 インチ P 型 Mg ドープ GaN オン サファイア ウエハー SSP 抵抗率~10Ω Cm LED レーザー PIN エピタキシャル ウエハー

  次元:100 ± 0.2mm

  製品名:4インチによってGaN/サファイアのMg添加される基質

  伝導のタイプ:Pタイプ

  接触
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  4インチによってMg添加されるGaN/サファイアの基質SSP Resistivity~10Ω cm LEDレーザーPINのエピタキシアル ウエファー

  製品名:4インチによってGaN/サファイアのMg添加される基質

  次元:100 ± 0.2mm

  伝導のタイプ:Pタイプ

  接触
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  2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

  次元:50.8 ± 1mm

  厚さ:350 ± 25μm

  オリエンテーションの平たい箱:（1-100の） ± 0.5˚の16 ± 1mm

  接触
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  シリコンの薄片のLongueurのD'Ondeレーザー455±10nmの2inch青主導のGaN

  製品名:シリコンの薄片の青主導のGaN

  次元:2インチ

  AlGaNの緩衝厚さ:400-600nm

  接触
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  シリコンの薄片20nmContactの層の次元520±10nm 2inch緑主導のGaN

  製品名:ケイ素の2-4inch緑主導のGaN

  サイズ:2インチ、4インチ

  次元:520±10nm

  接触