中国 GaNのエピタキシアル ウエファー

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  5*10mm2 SP表面（20-21）/（20-2-1） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.1 Ω·cm

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  5*10mm2表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗<0.1 Ω·cm力装置/レーザーW

  次元:5 x 10mmの²

  厚さ:350 ±25 µm

  オリエンテーション:C軸線- 1 ±0.2°の方の角度を離れたM軸線0 ±0.5° Aの平面（11-20）の方の角度を離れた平面（11-20）

  接触
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  10 X 10.5 mm2 フリースタンディング GaN 基板 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

  製品名:GaNのエピタキシアル ウエファー

  次元:10×10.5mm²

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  10*10.5mm2 C表面はSIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω Fe添加した·Cm RF装置ウエファー

  次元:10×10.5mm²

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10のµm

  接触
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  10 x 10.5 mm2 C表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質

  製品名:GaNの単結晶の基質

  次元:10×10.5mm²

  厚さ:350 ±25µm

  接触