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JDCD06-001-003 4インチのシリコンの薄片MEMS装置、集積回路、分離した装置のための熱心な基質2023-02-17 11:57:25 |
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JDCD06-001-004 5インチシリコンウェーハMEMSデバイス、集積回路、ディスクリートデバイス専用基板2023-02-17 11:59:11 |
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JDCD06-001-005 6インチのシリコンの薄片MEMS装置、集積回路、分離した装置のための熱心な基質2023-02-17 12:00:11 |
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JDCD06-001-007 12インチのシリコンの薄片MEMS装置、集積回路、分離した装置のための熱心な基質2023-02-17 12:01:45 |
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4インチによってMg添加されるGaN/サファイアの基質SSP Resistivity~10Ω cm LEDレーザーPINのエピタキシアル ウエファー2023-03-23 18:00:45 |
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6inch SiCのエピタキシアル ウエファー2022-10-09 16:56:20 |
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47.5 mmの± 1.5 mm SiCのエピタキシアル ウエファー150.0 mm +0mm/-0.2mm平行to<11-20>±1°2023-02-17 15:11:59 |
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4H SiCのエピタキシアル ウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm2023-02-17 15:19:25 |
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JDZJ01-001-004 SiC インゴットクリスタル 6" P グレード2022-09-29 15:53:31 |
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MEMSの処理のためのJDCD07-001-002 5インチSOIのエピタキシアル ウエファー2023-04-23 15:36:53 |
