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100.0mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級Politype 4H2022-10-09 10:12:00 |
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0.015ohm.cm～0.028ohm.cm シリコンカーバイド水晶Nタイプ2022-09-27 17:01:16 |
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4" P グレード シリコン カーバイド クリスタル抵抗率 0.015ohm.cm から 0.028ohm.cm2022-09-27 17:35:24 |
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4H Politypeの単結晶の炭化ケイ素4" Pの等級Siの表面2022-09-27 17:01:35 |
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100.0mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級18.0mm2022-09-27 17:01:26 |
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第一次平らなLengh 32.5mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級100.0mm2022-09-27 17:01:05 |
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パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス用の260μmシリコンカーバイド基板Pレベル2024-10-29 11:49:58 |
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N型 6inch 4H 炭化ケイ素基板 一次平面長 47.5mm2022-10-24 10:22:34 |
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JDZJ01-001-004 SiC インゴットクリスタル 6" P グレード2025-04-04 22:42:33 |
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パワーデバイス、マイクロ波デバイス向けPレベル2インチSiC基板2024-10-29 11:49:58 |
Japanese
