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N型 6inch 4H 炭化ケイ素基板 一次平面長 47.5mm2022-10-24 10:22:34 |
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パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス用の260μmシリコンカーバイド基板Pレベル2023-02-17 17:14:50 |
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6インチ 4H SiC基板 Nタイプ P SBDグレード 350μm2022-10-24 10:23:04 |
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6 インチ N タイプウェーハ P MOS グレード 4H SiC 基板 350.0 ± 25.0um2022-10-24 10:21:10 |
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シリコンの薄片のGaNの基質の前部表面の粗さGaN2022-10-08 17:19:48 |
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350um 4H SiC基板2022-10-09 16:57:57 |
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SiC Nのタイプ基質2022-10-09 16:57:15 |
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SP Face 5 X 10mm2 窒化ガリウム基板 350um2022-10-08 16:41:01 |
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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス2023-03-23 16:58:53 |
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4インチ 4H-SiC基板 PレベルSI 500.0±25.0μM MPD≦0.3/Cm2 抵抗率≧1E9Ω・Cm 電源・電子レンジ用2022-10-24 10:37:50 |
